POWI 3Q21

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[Summary]

• 4Q drop 4% Q/Q, GM same level.
• 2022毛利一直會在51-52%, 過去十年大概毛利都穩定在50%上下, OPM大概維持在20%上下, 1Q:21 OPM跳到30%, 財務報表顯示R&D跟SG&A大概從各自從15%減少到10%附近, 絕對金額變化不大.
• Capex 2022公司用6%的營收計算, 類似model的做法.
• So the communication SAM in the is in the order of $750 million for our products. And the computer SAM is about $650 million. PC SAM依然很小.
• 2021 will reach $700 million and would be up about 43% compared to the prior year.

[Result]

• 預計手機2022需求會強烈回彈, 目前聽到唯一一個對手機2022表示樂觀的, 庫存管理很大膽, 在疫情開始就自己堆庫存.
• 2021 GaN銷售量增加3x.
• InnoSwitch4 products新開發一個PC OEM相關100W案子
• InnoSwitch3-PD是業界第一個USB PD方案, 整合了
• primary side controller.
• secondary side controller.
• high-voltage GaN
• 似乎跟威鋒電子有相關搭配, 2018年發表的VIA Lab VP302, 是否有被POWI整合掉的問題, 是否三年前發表的晶片現在又到了要更新的時間點.
• InnoSwitch3-PD整合MinE-CAP. 
• Inno4整合TimeZero
• 其他對手問題在於discrete primary side controller/ discrete switch/ high voltage switch/ secondary side controller and a processor. 

[Inventory]

• 手機產業庫存過高是因為今年初客人堆太高以為可以吃下花威, 今年底庫存回歸正常水位.
• 內部庫存天數增加7天至99天, 通庫庫存略低於預期的7-8周, 來到6.7周.
• 第四季手機相關營收大致持平, 第一季手機相關營收會回彈, 因為開始新一年度的採購動能. 手機相關說法跟中國手機廠商很像, 感覺跟中國手機供應鏈連結很深.
• 1Q22會稍微好一點, 預計增加手機市佔率. 
• 公司consumer部門營收談到所謂冷氣電源管理, 與房地產相關還蠻有趣, 提到印度市場, 券商還擔心有關恆大問題. 收入多元化比NTVS好.
• 其他對手賣controller跟MOSFET毛利大約在30%.
• 高壓MOSFET缺貨對我們很有助益.
• 對於跟foundry的關係感到很緊密而自豪因為下單很穩定, 也有投資設備.
• 產品leadtime大約6-8周, 屬於相對健康正常的範圍. 是不是因為規模小新科技沒什麼客人在用?

[foundry]

• 日本Renesas
• 德國X-Fab: 6" SiC, 還有跟中國派恩杰合作.
• Thailand and Malaysia, 是否為上述兩家代工廠的海外廠址?

[思考]

• 所謂手機市佔率是什麼, 有沒有辦法整合進去手機裡面讓線跟頭整合體積更縮小, 所謂手機市佔率是不是手機廠買晶片做充電頭. 換句話說這是一個對的方向嗎? 是否應該乾脆扶植否一個配件商做出最好的充電頭, 直接賣給消費者, 例如NVTS跟POWI都一直提到的channel市場. 例如iPhone直接給你一個超爛的充電頭, 幾乎所有的人都還要再去買一個主力使用的充電頭. 例如自己也知道自己的戰場在各家充電器, 如投影片所顯示, 故手機品牌廠是否是一個雞肋?
• 所謂跟其他晶片整合的過程, 決策過程未知, 是否會整合掉威鋒電那顆, 哪些該花力氣整合哪些乾脆用買的? 我認為未來應該是帶一條線不要豆腐頭, 或是不要帶任何線直接無線充電, 或甚至電池可以一次充超多電. 我認為GaN縮小豆腐頭是假議題與過渡產品. 但缺乏對未來的想像不知道未來應該怎樣.
• 投影片裡面介紹GaN充電器充滿各種品牌, 包含小米, 紫米, Anker, Belkin等等. 似乎並無坊間所說Anker是POWI派, AUKEY是Navitas派之分. 補充一下Anker也是Navitas的股東也是客戶.
• 跟小米走太近是一件好事嗎? 小米擅長的是利潤壓低大量鋪貨快速提高滲透率(電芯尾貨生意), 或許是一件好事. 但是如何維持毛利不被砍價.
• 毛利50%是否是顛峰? 接下來股票要如何評價, 當EPS提高, multiple怎麼算?

[各家評價]

對於所有的經營活動全部以會計語言來表達, 市場對於尚在虧錢的公司認知是否正確, 是否誤判率很高. 是否無法自外於公司派對未來的說法.

[To Do List]

誰幫他做筆電充電器, 台達嗎

是否可以運用在挖礦

source:

https://investors.power.com/home/default.aspx

[格式]

-    先看逐字稿

-    畫黃色整理成summary

-    看sellside報告, 順過一次財務報表看這幾年有無異常

-    寫成文章, 整理思緒, 提出問題

-    找問題的答案

-    自己動手寫, 解決了什麼問題, 問題的核心是什麼, 哪一個標的?

-    是否能夠越弄越明白

-    台灣有無新聞, digitimes

-    背景知識input> 財務分析

SiC

利潤在哪邊

供應鏈各是在做什麼, 最新的更新是什麼, 大公司各是什麼

應用在哪邊, 從應用回推, 市場有奪大

SiC最大的應用市場在新能源車的功率控制單元、逆變器、DC-DC轉換器、車載充電器等。以電動車為例，採用SiC晶片，將使電驅裝置的體積縮小為五分之一，電動車行駛損耗降低60%以上，相同電池容量下里程數顯著提高。

特斯拉(Tesla)先前在Model 3率先使用意法半導體(STMicroelectronics，ST)和英飛凌(Infineon)的SiC逆變器；2020年比亞迪新能源車「漢」的馬達控制器中開始應用SiC-MOSFET模組；今年3月，中國斯達半導體也宣佈加碼車規級SiC模組產線。據Yole Développement預計，到2025年，新能源車和充電樁領域的SiC市場將達到17.78億美元，約佔SiC總市場規模的七成左右。

資料顯示，目前全球SiC矽晶圓總年產能約在40~60萬片，而且同時期的矽晶圓已經由200mm (8吋)向300mm (12吋)進發，但SiC晶圓的主流尺寸一直是150mm (6吋)，每片晶圓能製造的晶片數量不大，遠不能滿足下游需求。

以特斯拉Model 3主逆變器為例，需要24個電源模組，每個電源模組均基於兩個SiC MOSFET裸晶，每輛汽車總共有48個SiC MOSFET裸晶。按照這個估算若循序漸進採用SiC後，平均2輛特斯拉的純電動車就需要一片150mm SiC晶圓。Wedbush證券分析師Dan Ives曾稱，到2022年特斯拉的交付量可能會達到100萬輛，如果預測成真，那屆時僅特斯拉就將消耗掉全球SiC矽晶圓總產量。

雖然在SiC市場上，整合元件製造商(IDM)佔據主導地位，SiC代工公司也不甘落後，希望能夠複製成功的矽代工廠的模式。德國X-Fab、英國Clas-SiC (150mm)、韓國YES POWERTECHNIX (YPT)，以及台灣漢磊(Episil)、廈門三安(SANAN)、蕪湖啟迪(TUS SEMI)都希望從中分到一杯羹。

包括SiC在內的第三代半導體產業鏈包括基板→磊晶→設計→製造→封裝。其中，基板是所有半導體晶片的底層材料，起物理支撐、導熱、導電等作用；磊晶是在基板材料上生長出新的半導體晶層，這些磊晶層是製造半導體晶片的重要原料，影響元件的基本性能；設計包括元件設計和IC設計，其中元件設計包括半導體元件的結構、材料，與磊晶相關性很大；製造需要通過微影、薄膜沉積、刻蝕等複雜製程流程在磊晶片上製作出設計好的元件結構和電路；封裝是指將製造好的晶圓切割成裸晶片。

SiC元件成本高的一大原因就是SiC基板製造困難。資料顯示，基板成本大約佔晶片加工總成本的50%，磊晶片佔25%，元件晶圓製造環節20%，封裝測試環節5%。SiC基板不止貴，生產製程還複雜，與矽相比，SiC很難處理。

規模化生長SiC單晶主要採用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的昇華法。這也就帶來了SiC晶體製備的兩個難點：

1.生長條件苛刻，需要在高溫下進行。一般而言，SiC氣相生長溫度在2,300℃以上，壓力350MPa，而矽僅需1,600℃左右。高溫對設備和製程控制帶來了極高的要求，生產過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤，則會導致生長數天的產品失敗。

2.生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢，7天才能生長2cm左右。而矽棒拉晶2~3天即可拉出約2m長的8英吋矽棒。

SiC基元件與傳統的矽元件不同，SiC基板的品質和表面特性不能滿足直接製造元件的要求，因此在製造大功率和高壓高頻元件時，不能直接在SiC基板上製作元件，而必須在單晶基板上額外沉積一層高品質的磊晶材料，並在磊晶層上製造各類元件，目前效率也比較低。另外SiC的氣相同質磊晶一般要在1,500℃以上的高溫下進行。由於有昇華的問題，溫度不能太高，一般不能超過1,800℃，因而生長速率較低。

英飛凌為了提高產量，就曾在2018年收購了SiC晶圓切割領域的新銳公司Siltectra，據悉Siltectra的冷切割技術(Cold Spilt)相比傳統製程將提高90%的生產效率。

另外，在元件製造過程中SiC的難度也有所增加，主要在部分製程需要在高溫下完成：

1.摻雜步驟中，傳統矽基材料可以用擴散的方式完成摻雜，但由於SiC擴散溫度遠高於矽，無法使用擴散製程，只能採用高溫離子注入的方式；

2.高溫離子注入後，材料原本的晶格結構被破壞，需要用高溫退火製程進行修復。SiC退火溫度高達1,600℃，這對設備和製程控制都帶來了極大的挑戰。

由於「高溫」為核心的難關構築了較強的技術壁壘，SiC基板製造難度極大，所以大多數企業都是從Cree、羅姆等供應商處直接購買。目前Cree是全球最大的SiC基板和磊晶片供應商，約佔全球一半產能；羅姆、II-VI分列二、三位，合計佔有全球35%的產能。這三家廠商的長晶爐都是自行設計，掌握著關鍵的上游設備資源，同時他們又是元件供應商，所以與眾多客戶構成了直接競爭關係，且能夠透過SiC基板和磊晶片的銷售情況，獲取客戶的產品研發節奏、產能安排等核心商業資訊，未來這些SiC原廠們肯定會有所忌憚。

SiC元件製造必須要經過磊晶步驟，磊晶品質對元件性能影響很大。SiC基元件與傳統的矽元件不同，SiC基板的品質和表面特性不能滿足直接製造元件的要求，因此在製造大功率和高壓高頻元件時，不能直接在SiC基板上製作元件，而必須在單晶基板上額外沉積一層高品質的磊晶材料，並在磊晶層上製造各類元件，目前效率也比較低。另外SiC的氣相同質磊晶一般要在1,500℃以上的高溫下進行。由於有昇華的問題，溫度不能太高，一般不能超過1,800℃，因而生長速率較低。

2019年，意法半導體以近1.375億美元完成對瑞典SiC晶圓製造商Norstel AB的收購。雖然意法半導體持續其生產150mm裸晶和磊晶SiC晶圓，但這筆交易顯然針對的是200mm晶圓生產的研發。更先進、更具成本效益的200mm SiC量產，將有助於推動意法半導體為汽車和工業設計製造MOSFET和二極體。

儘管如此，為了加強SiC供應鏈，在此SiC功率元件成長時期，意法半導體也與Cree簽署晶圓供應協議。意法半導體將持續採用Cree的150mm SiC裸晶和磊晶晶圓，用於打造汽車和工業應用所需的功率元件。今年初，意法半導體並與SiCrystal簽署類似的多年供應協議，以加碼超過1.2億美元的先進150mm SiC晶圓供應。SiCrystal是一家總部位於德國紐倫堡的ROHM子公司，專注於SiC晶圓製造多年。

事實上，從寬能隙元件出現，一直到現在，其最受詬病的一點是成本較矽基元件高出許多，導致業者們有些卻步。意法半導體(STMicroelectronics)行銷經理陳錫成認為，車輛的電氣化發展的確為寬能隙元件帶來新的市場契機，但若是從電動車整個系統的成本來分析，採用SiC MOSFET反而較省成本。這是由於矽MOSFET與SiC MOSFET就單顆元件相比，SiC MOSFET成本可能較矽MOSFET高出300美元，但若從整個系統成本來看，SiC MOSFET可省下約2,000美元的成本，這將消弭業者們對採用寬能隙半導體會導致成本暴增的疑慮。因此，根據市調單位的統計數據，至2023年前，矽MOSFET與SiC MOSFET在市場的滲透率將各佔一半。

相較於傳統車輛，電動車中使用的零件總數大幅減少40~50%，測試也變得較簡潔，更著重於電池的充放電，以及馬達轉動等部份。

https://www.eettaiwan.com/20210623nt31-ev-are-not-hindered/

http://www.tainergy.com.tw/investor/upload/investorfp/20201118CHT.pdf

https://www.eettaiwan.com/20210809nt61-what-is-the-difficulty-of-sicwafer-manufacturing/

HTC VIVE Flow思考

 

目前靜態分佈, Steam中最主流的是FB的Oculus佔了六成. HTC系列佔了不到兩成.

動態變化, 注意此圖表一到Oculus Quest 2一發布, 該設備滲透迅速提高, 並擠壓others的活路. 在品牌廠中, 也相對擠壓了HTC Vive的市占率. 主要對手為Oculus Quest 2.

 

注意到VR頭盔從HTC Vive第一代出現, 經歷過2016/ 2018兩次大戰, 現在目前看起來已經完全由2020年發布的Oculus佔上風. 2021目前由HTC拉開第四場戰爭的序幕. 智慧型手機當時也是在前三年戰的難分難解, 但後來iPhone拿到關鍵市佔, 隱約覺得這場仗Oculus佔到六成, 現在HTC的目光不應該放在所謂的玩家上面, 而是想找到其他應用來擴張整個VR的使用族群.

記得那時一直在想或許HTC可以找某個攝影師或是導演來代言他的相機, 強調他的攝影, 與工作上的方便性, 例如變成一個適合重度攝影工作, 風格強烈類似軍規或是專業人士的. 沒想到後來這個特色還是被蘋果拿去請導演拍片代言了. 換句話說, 嚴格說起來, 安卓市場到現在還是沒有走出一個新風格, 更諷刺的是

[HTC Vive Flow]

注意到這次CPU規格是2019年的XR1, 快要三年以前的規格, 讓我們老玩家們不禁想起以前的換芯事件以及特殊756MB Ram規格. 強悍的發布會風格已完全震懾觀眾, 主打的是冥想與放鬆體驗, 算是一個新的市場沒錯, 但不知怎地配上陽春的畫面與麥克風收音會一直讓人想到廉價與省錢, 冥想放鬆變成一種免錢的娛樂, 又要怎麼與一個一萬五的奢侈品或是非必要的配備沾上邊實在很難.

[股價思考]

關於股價

• 今年每月營收大致上依然是y/y drop.
• 手機本業未見改善, 未見營運轉機, 依然虧錢.
• 新裝置並非must to have.
• 元宇宙概念受益主要是FB自己的Oculus, 或是中國廠商低價競品, HTC定位困難.
• 之前第一次發HTC Vive時, 股價由$80一路上飆至$130, 最近股價在$35徘徊目前上飆至$47. 預計$60為近期最高.

Source:
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